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Le marché de la RAM magnétorésistive (MRAM) atteint 1396,7 millions USD à un TCAC de 18,58% | Opportunités de marché, statut de développement, tendances régionales

Jan 10, 2023 4:13 PM ET

Il est prévu que le marché de la RAM magnétorésistive (MRAM) aurait augmenté à un TCAC de plus de 18,58%, totalisant 1396,7 millions USD. Une RAM non volatile appelée mémoire vive magnéto-résistive utilise des charges magnétiques plutôt que des charges électriques pour stocker des données. La société Honeywell a créé des dispositifs de mémoire magnéto-résistive en 1990, date à laquelle les premières avancées du système ont commencé. La haute densité, l’accès aléatoire et la mémoire non volatile ont été confirmés. La RAM dynamique utilise des charges magnétiques, une alternative aux charges électriques, pour stocker les bits de données. Le gadget est utilisé pour améliorer les articles électroniques et leur permettre de stocker de grandes quantités de données et de garantir un accès rapide. Les avantages de la RAM dynamique et de la RAM statique sont combinés dans ce domaine. Le marché de la RAM magnétorésistive (MRAM) continuera de se développer en raison de la demande croissante de mémoire autonome et embarquée dans l’électronique grand public, les gadgets intelligents et les appareils portables.

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Acteurs clés du marché de la RAM magnétorésistive (MRAM):

  • Toyota Corporation (Japon)
  • NVE Corporation (États-Unis)
  • Everspin Technologies Inc. (États-Unis)
  • Avalanche Technology Inc. (États-Unis)
  • Spin Memory, Inc. (États-Unis)
  • Honeywell International Inc. (États-Unis)
  • Samsung Electronics Co. Ltd (Corée du Sud)
  • Numem Inc. (États-Unis).

Ces acteurs sont en concurrence les uns avec les autres en termes de percées techniques qui peuvent être accomplies par les entreprises en termes de taux de répétition MRAM. Par exemple, au cours de plusieurs années, Everspin Technologies Inc., Avalanche Technology Inc., Numem Inc., NVE Corporation, Honeywell International Inc., Samsung Electronics Co. Ltd. et Spin Memory, Inc. ont considérablement amélioré la qualité de leurs processus, ce qui a entraîné une augmentation de l’intérêt des acheteurs ainsi que du nombre d’applications pour leurs produits.

Analyse régionale du marché de la RAM magnétorésistive (MRAM):

Des recherches sur le marché MRAM ont été menées dans les cinq principales régions du monde: Asie-Pacifique, Amérique du Nord, Europe, Moyen-Orient, Afrique et Amérique du Sud. La présence d’acteurs importants dans la région est un facteur essentiel de la contribution de la région à la croissance du marché mondial de la MRAM. Ces entreprises sont à l’avant-garde de la révolution de la mémoire et du stockage, pionnières de nouvelles technologies telles que l’intelligence artificielle, l’apprentissage automatique, l’Internet des objets et les voitures autonomes.

La croissance en Allemagne devrait être la plus élevée d’Europe. Le besoin croissant de conceptions et de composants MRAM à faible consommation, compacts et hautes performances est le principal moteur de l’expansion du marché MRAM en Allemagne.

Il y a eu une augmentation du financement gouvernemental pour la recherche et la production de puces mémoire, ce qui a entraîné une augmentation de la demande dans la région Asie-Pacifique.

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Segmentation du marché de la RAM magnétorésistive (MRAM):


Le marché de la mémoire vive magnétorésistive (MRAM) est segmenté par produit, application et géographie.

Le futur marché de la RAM magnétorésistive (MRAM) est divisé en deux sous-marchés distincts, STT et Toggle, en fonction des types de produits qui devraient être vendus. En 2020, le secteur STT a dominé le marché et devrait croître à un TCAC de 19,35% au cours de la période d’évaluation.

La part de marché MRAM par rapport à la NAN a été divisée en de nombreux segments en fonction de leurs industries d’utilisation finale respectives, telles que celles impliquées dans l’aérospatiale et l’armée, l’automobile, la robotique, l’électronique grand public et le stockage d’entreprise. D’ici la clôture de 2027, le marché de l’aérospatiale et de la défense devrait avoir généré un chiffre d’affaires de 249,7 millions de dollars.

De nouveaux dispositifs de mémoire STT-MRAM de 64 Mo ont été lancés par le leader de l’industrie et fournisseur de la technologie MRAM de nouvelle génération, Avalanche Technology, le 27 septembre 2021. En termes de taille, de consommation d’énergie et de fiabilité, les nouveaux produits P-SRAM industriels x16 parallèles de 64 Mo sont inégalés.

La dernière version du produit Avalanche comprend des solutions industrielles de haute fiabilité dans le plus petit facteur de forme et la plus faible puissance, permettant aux utilisateurs de créer des systèmes d’architecture de mémoire unifiée pour les applications d’enregistrement de données industrielles.

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