Taille, part et tendances du marché des dispositifs semi-conducteurs GaN : analyse jusqu’en 2031

InsightAce Analytic Pvt. Ltd. annonce la publication d'un rapport d'évaluation du marché sur le "Global GaN Semiconductor Device Market-(By Type (Opto-Semiconductor, RF Semiconductors, Power Semiconductor), By Device (Discrete Semiconductor, Integrated Semiconductor), By Application (Lightning & Lasers, Power Drives (LiDAR, Industrial Drives, E.V.), alimentations & onduleurs (SMPS, onduleurs, charge sans fil, charge E.V.), radiofréquence (R.F.),

Front-End Module (FEM), Repeater/Booster/DAS, Radar & Satellite)), Par Vertical (Consumer & Business Enterprises, Industrial, Automotive, Telecommunications, Aerospace & Defense, Healthcare, Energy & Power), Par Voltage Range (Less than 100 V, 100-500 V, More than 500 V)), Trends, Industry Competition Analysis, Revenue and Forecast To 2031."

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Un dispositif semi-conducteur en GaN (nitrure de gallium) est un composant électronique qui l'utilise comme matériau semi-conducteur pour sa construction. Le GaN est un matériau semi-conducteur avancé qui présente plusieurs avantages par rapport aux matériaux traditionnels comme le silicium.

L'augmentation récente de la demande de dispositifs semi-conducteurs à haut rendement énergétique a également contribué à sa popularité croissante. Les avantages des dispositifs à semi-conducteurs GaN par rapport aux dispositifs en silicium ont contribué à la croissance du marché. Les matériaux en silicium sont utilisés pour produire des gadgets électroniques tels que les smartphones, les ordinateurs, les appareils photo et les téléviseurs.

En revanche, les dispositifs à semi-conducteurs GaN, qui sont 100 fois plus rapides que le silicium, ont une chance à saisir en raison du ralentissement du potentiel créatif du silicium. Les dispositifs GaN sont plus performants que les dispositifs en silicium à plusieurs égards, notamment en termes de vitesse, de coûts et d'efficacité énergétique.

Le besoin croissant de consoles de jeux, de téléphones portables, d'ordinateurs portables et de téléviseurs propulsera probablement le marché des semi-conducteurs GaN dans l'industrie de l'électronique grand public. La demande de semi-conducteurs de puissance GaN sur le marché des TIC a augmenté en raison de l'introduction de la norme 5G, qui a accru les besoins en stations de base et en transistors de haute puissance.

Liste des principaux acteurs du marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN :

• Wolfspeed, Inc. (États-Unis)
• Qorvo, Inc. (États-Unis)
• MACOM Technology Solutions Holdings, Inc. (États-Unis)
• Infineon Technologies AG (Allemagne)
• Sumitomo Electric Industries, Ltd. (Japon)
• Mitsubishi Electric Group (Japon)
• NexGen Power Systems. (ÉTATS-UNIS)
• GaN Systems (Canada)
• Efficient Power Conversion Corporation (États-Unis)
• Odyssey Semiconductor Technologies, Inc (États-Unis)
• ROHM Co. (Japon)
• STMicroelectronics NV (Suisse)
• NXP Semiconductors NV (Pays-Bas)
• Transphorm, Inc,
• Analog Devices, Inc,
• Texas Instruments Incorporated,
• Navitas Semiconductor,
• Microchip Technology Incorporated,
• Powdec,
• Northrop Grumman Corporation,
• Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd,
• Toshiba Infrastructure Systems & Solutions Corporation,
• Renesas Electronics Corporation,
• Gallium Semiconductor,
• GaNpower

Dynamique du marché :

Facteurs de croissance

Les besoins croissants en électronique grand public, tels que les ordinateurs portables, les smartphones, les adaptateurs d'alimentation, les chargeurs à grande vitesse, l'éclairage LED, les appareils domestiques intelligents et les appareils de jeu, sont susceptibles d'avoir un impact significatif sur la croissance du marché. L'utilisation de semi-conducteurs GaN dans l'électronique grand public augmente la densité de puissance et l'efficacité.

Ils améliorent les taux de charge, offrent des durées de vie plus longues et consomment moins d'électricité. Les dispositifs à semi-conducteurs GaN, tels que les stations de base et autres équipements de réseau, sont également utilisés dans les applications d'entreprise. Leur capacité à gérer des puissances et des fréquences élevées améliore les communications sans fil. Par conséquent, l'augmentation de la demande dans l'industrie de l'électronique grand public et dans les entreprises devrait stimuler l'expansion du marché.

Les défis à relever :

Le coût élevé des dispositifs semi-conducteurs GaN entrave leur mise en œuvre à grande échelle. Plusieurs facteurs contribuent à ce prix élevé. Tout d'abord, la création de substrats en GaN, sur lesquels les dispositifs sont créés, nécessite des méthodes sophistiquées qui requièrent des équipements et des connaissances spécialisés.

Par rapport à des matériaux semi-conducteurs plus développés comme le silicium, cette complexité augmente considérablement les coûts de fabrication. En outre, la rareté des substrats GaN de haute qualité contribue à leur prix élevé, limitant les économies d'échelle de la production.

Tendances régionales :

Le marché nord-américain des dispositifs semi-conducteurs GaN devrait enregistrer une part de marché importante en termes de recettes et devrait connaître un taux de croissance annuel moyen élevé dans un avenir proche. Les principaux acteurs aux États-Unis, tels que Cree, Inc, Efficient Power Conversion Corporation, Macom, Microsemi, Northrop, etc.

Grumman Corporation, Qorvo, Inc. et d'autres, ont contribué à cette expansion. La suprématie de cette région est également due à l'augmentation des achats de dispositifs au nitrure de gallium et d'autres technologies connexes aux États-Unis et au Canada. Texas Instruments Incorporated et Qorvo, Inc. sollicitent des financements pour produire des dispositifs à base de GaN aux États-Unis.

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Développements récents :

• En juin 2023, NexGen vient de déclarer le début de la production des premiers semi-conducteurs GaN verticaux 700V et 1200V au monde, qui présentent les fréquences de commutation les plus élevées. Les Fin-jFETs en mode e GaN vertical 1200V développés par NexGen ont été les seuls dispositifs à large bande d'espacement qui ont effectivement présenté des fréquences de commutation supérieures à 1 MHz à une tension nominale de 1,4 kV.

• En décembre 2021, Microchip Technology, Inc. a annoncé une expansion substantielle de son portefeuille de dispositifs de puissance à nitrure de gallium (GaN) pour les radiofréquences (RF) avec l'ajout de nouveaux MMIC et transistors discrets couvrant des fréquences allant jusqu'à 20 gigahertz (GHz). Combinant un rendement élevé en puissance ajoutée (PAE) et une grande linéarité, ces dispositifs ont permis d'atteindre de nouveaux niveaux de performance dans des applications allant de la 5G à la guerre électronique, en passant par les communications par satellite, les systèmes radar commerciaux et de défense, et les équipements de test.

Segmentation du marché des dispositifs semi-conducteurs GaN

Par type

• Opto-Semiconducteur
• Semi-conducteurs RF
• Semi-conducteurs de puissance

Par dispositif

• Semi-conducteur discret
• Semi-conducteurs intégrés

Par application

• Lasers Lightning &
• Entraînements électriques
  • LiDAR
  • Entraînements industriels
  • Entraînements E.V.
• Fournitures & Onduleurs
  • SMPS
  • Onduleurs
  • Chargement sans fil
  • Chargement E.V.
• Radiofréquence (R.F.)
  • Module frontal (FEM)
  • Répéteur/Booster/DAS
  • Radar & Satellite

Par Vertical-

• Consommateurs & Entreprises commerciales
• Industrie
• Automobile
• Télécommunications
• Aérospatiale & Défense
• Santé
• Énergie & Énergie électrique

Par gamme de tension

• Moins de 100 V
• 100-500 V
• Plus de 500 V

Par région

Amérique du Nord-

• Les Etats-Unis
• Le Canada
• Le Mexique

Europe

• L'Allemagne
• Royaume-Uni
• La France
• L'Italie
• Espagne
• Reste de l'Europe

Asie-Pacifique

• Chine
• Japon
• Inde
• Corée du Sud
• Asie du Sud-Est
• Reste de l'Asie-Pacifique

Amérique latine

• Brésil
• Argentine
• Reste de l'Amérique latine

Moyen-Orient & Afrique-

• Pays du CCG
• Afrique du Sud
• Reste du Moyen-Orient et de l'Afrique

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